Admin
Администратор
Исследователи KAIST разработали метод атомарной симуляции, позволяющий предсказать пределы уменьшения транзисторов. Они выяснили, что электроны начинают просачиваться сквозь барьеры при определённых условиях, что влияет на работу транзисторов. Используя метод передаточной длины и первопринципные расчёты, учёные смогли определить критическую длину туннелирования. Результаты показали, что правильный подбор материалов и конфигурации контактов позволяет уменьшать транзисторы до размеров менее 4 нм. Этот подход может значительно сократить цикл разработки чипов и снизить затраты.
